Hitachi PDD


Firma Markel jest wyłącznym przedstawicielem Hitachi Power Device Division. Hitachi PDD to wiodący producent wysokonapięciowych modułów IGBT, diod oraz układów scalonych.

„Tak jak słońce… elementy półprzewodnikowe Hitachi pracują bez przerwy….”

IGBT, wysokonapięciowe układy scalone (HVICs) i diody od Hitachi zostały zaprojektowane, aby spełniać wysokie wymagania naszych klientów. Produkty te osiągają najwyższe standardy jakości, a ich parametry są stabilne przez cały okres użytkowania produktu.

Proton-Electrotex


Proton-Electrotex jest wiodącą rosyjską firmą zajmującą się projektowaniem i produkcją elementów półprzewodnikowych takich jak: diody mocy, tyrystory, moduły elektroizolowane, tranzystory IGBT oraz bloków mocy dla przekształtników energoelektronicznych.

Głównym celem naszej firmy jest zapewnienie naszym klientom nowoczesnych i niezawodnych produktów. W dobie zielonych technologii i maksymalizacji efektywności energetycznej nie ma nic ważniejszego niż niezawodność komponentów energoelektronicznych. Jakość produktu zawsze była i będzie priorytetem firmy Proton-Electrotex.

Ducati Energia


DUCATI Energia jest jedną z pierwszych na świecie firm, która rozpoczęła przemysłową produkcję kondensatorów. Obecnie plasuje się w czołówce największych producentów.

Od momentu powstania, DUCATI Energia zawsze przodowała w rozwoju technicznym i przemysłowym. Wprowadzając na rynek metalizowaną folię polipropylenową, zwaną folią wysokiej gęstości, a jednocześnie dokładając najwyższej dbałości o jakość produktu, dostarcza odbiorcom wysoko sprawne, niezawodne i kompaktowe kondensatory, spełniające rosnące wymagania branży.

Nasi dostawcy


IXYS
Hitachi
ICEL
Proton-electrotex
Mersen
Littelfuse
Semikron

Bezpieczniki szybkie do ochrony komponentów półprzewodnikowych

Rafał Piętka 15 stycznia 2020

Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate

Radosław Sobieski 07 stycznia 2020

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…

Tranzystory IGBT nowej generacji

Radosław Sobieski 07 stycznia 2020

Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie – preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. HITACHI dostrzegając aktualne potrzeby…