Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…
Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…
Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie – preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. HITACHI dostrzegając aktualne potrzeby…
Kondensatory energoelektroniczne nowej generacji – podwyższone parametry użytkowe dzięki zastosowaniu nowoczesnych materiałów oraz technologii. Jeden z największych producentów kondensatorów – firma Ducati Energia wprowadza systematycznie na…
Modularized, Reconfigurable and Bidirectional Charging Infrastructure for Electric Vehicles with Silicon Carbide Power Electronics Informujemy, że MARKEL Sp. z o.o. realizuje w partnerstwie z Politechniką Warszawską…