15 stycznia 2020

Bezpieczniki szybkie do ochrony komponentów półprzewodnikowych

Autor: Rafał Piętka

Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…

7 stycznia 2020

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate

Autor: Radosław Sobieski

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…

7 stycznia 2020

Tranzystory IGBT nowej generacji

Autor: Radosław Sobieski

Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie – preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. HITACHI dostrzegając aktualne potrzeby…

3 stycznia 2020

Kondensatory energoelektroniczne nowej generacji

Autor: Radosław Sobieski

Kondensatory energoelektroniczne nowej generacji – podwyższone parametry użytkowe dzięki zastosowaniu nowoczesnych materiałów oraz technologii. Jeden z największych producentów kondensatorów – firma Ducati  Energia wprowadza systematycznie na…

12 grudnia 2019

Projekty

Autor: Radosław Sobieski

Energoelektroniczny układ zarządzania energią w procesach szybkiego ładowania zasobników energii MARKEL rozpoczął prace nad badaniami przemysłowymi i pracami rozwojowymi „energoelektronicznego układu zarządzania energią w procesach szybkiego…