Wzrost udziału energii elektrycznej generowanej w rozproszonych układach energetyki odnawialnej oraz ograniczenia możliwości przesyłowych systemu elektroenergetycznego doprowadziły do konieczności wprowadzenia nowych rozwiązań technicznych zapewniających ciągłą i…
Modułowy magazyn energii stabilizuje sieć prądu stałego lub przemiennego w chwilach dynamicznych zmian obciążenia. Sprzęgnięty z odnawialnymi źródłami energii OZE (np. farmy fotowoltaiczne i wiatrowe) kompensuje…
Proton-Electrotex – rosyjski lider w projektowaniu i produkcji półprzewodników mocy, w tym diod, tyrystorów i modułów IGBT, a także radiatorów, tłumików napięcia, rezystorów i aparatury pomiarowej,…
Serdecznie witamy wszystkich klientów na naszym blogu. Został on stworzony żeby przybliżyć Państwu naszą działalność. Znajdziesz tu artykuły przedstawiające oferowane przez nas produkty oraz świadczone usługi….
Narzędzie symulacyjne umożliwia wyznaczanie strat mocy oraz temperatur złącza modułów półprzewodnikowych dla różnych topologii przekształtników. Więcej informacji w linku poniżej: https://pdd.hitachi.eu/simulations
Samochody z silnikiem elektrycznym odgrywają istotną rolę w procesie dekarbonizacji energetyki. Coraz bardziej rygorystyczne normy emisji spalin oraz mająca miejsce w wielu państwach Europy odpowiednio nakierowana…
Produkcja kondensatorów, znajdujących zastosowanie w takich aplikacjach jak trakcja, magazynowanie energii, filtrowanie, kompensacja mocy biernej, spawalnictwo, to jedna z głównych obszarów działalności firmy DUCATI Energia. Nowoczesne…
Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…
Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…
Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie – preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. HITACHI dostrzegając aktualne potrzeby…
