Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi
Automotive
HVDC
Grzejnictwo indukcyjne
Pojazdy terenowe
Odnawialne źródła energii
Trakcja

Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi
Automotive
HVDC
Grzejnictwo indukcyjne
Pojazdy terenowe
Odnawialne źródła energii
Trakcja
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
6in1 IGBT | 600 | MBB600TV6A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | M | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
6in1 IGBT | 800 | MBB800TV7A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
6in1 IGBT | 400 | MBB400TX12A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
pojedynczy IGBT | 1600 | MBN1600E17F | M | IHM 130x140mm | |
3600 | MBN3600E17F | M | IHM 190x140mm | ||
półmostek diodowy | 900 | MDM900E17D | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MDM1200E17D | M | IHM 130x140mm | ||
półmostek IGBT | 1200 | MBM1200GS17G2 | Spiekanie miedzi nHPD2 | U | nHPD2 140x100mm |
1200 | MBM1000FS17G | nHPD2 | M | Standard | |
1200 | MBM1200E17F | M | IHM 130x140mm | ||
Chopper | 1200 | MBL1200E17F | M | IHM 130x140mm | |
1600 | MBL1600E17F | M | IHM 190x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
pojedynczy IGBT | 1200 | MBN1200E25C | M | IHM 190x140mm | |
półmostek IGBT | 400 | MBM400E25E | M | IHM 130x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
pojedynczy IGBT | 1800 | MBN1800F33F | M | IHM 190x140mm | |
100 | MBN1000E33E2 | M | IHM 130x140mm | ||
800 | MBN800E33D-AX | Niskie straty odzyskiwania właściwości zaporowych dla aplikacji wysokich częstotliwości | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MBN1200H33D | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
1500 | MBN1500E33E2 | M | Standard | ||
1500 | MBN1500E33E3 | M | IHM 190x140mm | ||
800 | MBN800E33D | M | IHM 130x140mm | ||
1200 | MBN1200E33D | M | IHM 190x140mm | ||
800 | MBN800E33E | M | IHM 130x140mm | ||
1200 | MBN1200E33E | M | IHM 190x140mm | ||
1800 | MBN1800FH33F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | High Isolation | |
1200 | MBN1200F33F | M | IHM 130x140mm | ||
pojedynczy SiC | 1200 | MBN1200F33F-C | M | IHM 130x140mm | |
1800 | MBN1800F33F-C | M | IHM 190x140mm | ||
półmostek diodowy | 1200 | MDM1200FH33F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
800 | MDM800E33D | M | IHM 130x140mm | ||
1200 | MDM1200E33D | M | IHM 130x140mm | ||
półmostek IGBT | 250 | MBM250H33E3 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
400 | MBM400E33D-MFR | Bardzo niskie straty łączeniowe dla aplikacji wysokich częstotliwości | M | IHM 130x140mm | |
450 | MBM450FS33F | nHPD2 | M | nHPD2 140x100mm | |
500 | MBM500E33E2-R | M | IHM 130x140mm | ||
Chopper | 400 | MBL400E33D | M | IHM 130x140mm | |
800 | MBL800E33D | M | IHM 190x140mm | ||
800 | MBL800E33E | M | IHM 190x140mm | ||
1000 | MBL1000E33E2-B | M | IHM 190x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
pojedynczy IGBT | 1500 | MBN1500FH45F-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm |
1000 | MBN1000FH45F-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
1000 | MBN1000FH45F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
800 | MBN800H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MBN1200H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
800 | MBN800H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MBN1200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
600 | MBN600E45A | M | IHM 130x140mm | ||
900 | MBN900D45A | M | IHM 190x140mm | ||
1500 | MBN1500FH45F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
półmostek diodowy | 600 | MDM600E45A | M | IHM 130x140mm | |
800 | MDM800H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
400 | MDM400H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MDM1200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
1200 | MDM1200H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
800 | MDM800H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
półmostek IGBT | 200 | MBM200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
pojedynczy IGBT | 500 | MBN500H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
750 | MBN750H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
półmostek diodowy | 500 | MDM500H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
750 | MDM750H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
250 | MDM250H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
6in1 IGBT | 600 | MBB600TV6A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | M | 163×98.5mm |
800 | MBB800TV7A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98.5mm | |
400 | MBB400TX12A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | U | 163×98.5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | VCES (V) | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 |
półmostek IGBT | 3300 | 450 | MBM450FS33F | LV Obudowa standardowa | M |
1700 | 1200 | MBM1200GS17G2 | Copper Sintering LV Package (Standard isolation) | W | |
1700 | 1200 | MBM1000FS17G | LV Obudowa standardowa | M |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Obudowa | VCES (V) | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 |
pojedynczy SiC | 3300 | 1200 | MBN1200F33F-C | SiC Hybrid | M |
1800 | MBN1800F33F-C | SiC Hybrid | M |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Wzrost udziału energii elektrycznej generowanej w rozproszonych układach energetyki odnawialnej oraz ograniczenia możliwości przesyłowych systemu elektroenergetycznego doprowadziły do konieczności wprowadzenia nowych rozwiązań technicznych zapewniających ciągłą i…
Czytaj więcejModułowy magazyn energii stabilizuje sieć prądu stałego lub przemiennego w chwilach dynamicznych zmian obciążenia. Sprzęgnięty z odnawialnymi źródłami energii OZE (np. farmy fotowoltaiczne i wiatrowe) kompensuje…
Czytaj więcejElementy i części aluminiowe wykorzystywane w energoelektronice są często poddawane obróbce mechanicznej. To pozwala nadać im odpowiedni kształt, fakturę czy gładkość. Jakie są rodzaje obróbki mechanicznej…
Czytaj więcejSzafy rozdzielcze, nazywane też rozdzielnicami bądź szafami elektrycznymi, instalowane są w wielu budynkach zasilanych prądem elektrycznym. W jaki sposób i gdzie dokładnie należy je montować, żeby…
Czytaj więcejSzyny łączeniowe, nazywane też grzebieniowymi bądź po prostu prądowymi, to elementy przeznaczone do rozplanowania instalacji elektrycznych w zakładach przemysłowych i gospodarstwach domowych. Wyjaśniamy, w jaki sposób…
Czytaj więcej