Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi

Automotive

HVDC

Grzejnictwo indukcyjne

Pojazdy terenowe

Odnawialne źródła energii

Trakcja

650V (Szybkie, nisko stratne moduły IGBT o niskiej impedancji termicznej dzięki systemowi bezpośredniego chłodzenia cieczą, duża niezawodność i wytrzymałość)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 600 MBB600TV6A Bezpośrednie chłodzenie cieczą M 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 800 MBB800TV7A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 400 MBB400TX12A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1600 MBN1600E17F M IHM 130x140mm
3600 MBN3600E17F M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 900 MDM900E17D M IHM 130x140mm
1200 MDM1200E17D M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 1200 MBM1200GS17G2 Spiekanie miedzi nHPD2 U nHPD2 140x100mm
1200 MBM1000FS17G nHPD2 M Standard
1200 MBM1200E17F M IHM 130x140mm
Chopper 1200 MBL1200E17F M IHM 130x140mm
1600 MBL1600E17F M IHM 190x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E25C M IHM 190x140mm
półmostek IGBT 400 MBM400E25E M IHM 130x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1800 MBN1800F33F M IHM 190x140mm
100 MBN1000E33E2 M IHM 130x140mm
800 MBN800E33D-AX Niskie straty odzyskiwania właściwości zaporowych dla aplikacji wysokich częstotliwości M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H33D Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1500 MBN1500E33E2 M Standard
1500 MBN1500E33E3 M IHM 190x140mm
800 MBN800E33D M IHM 130x140mm
1200 MBN1200E33D M IHM 190x140mm
800 MBN800E33E M IHM 130x140mm
1200 MBN1200E33E M IHM 190x140mm
1800 MBN1800FH33F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M High Isolation
1200 MBN1200F33F M IHM 130x140mm
pojedynczy SiC 1200 MBN1200F33F-C M IHM 130x140mm
1800 MBN1800F33F-C M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 1200 MDM1200FH33F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800 MDM800E33D M IHM 130x140mm
1200 MDM1200E33D M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 250 MBM250H33E3 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm
400 MBM400E33D-MFR Bardzo niskie straty łączeniowe dla aplikacji wysokich częstotliwości M IHM 130x140mm
450 MBM450FS33F nHPD2 M nHPD2 140x100mm
500 MBM500E33E2-R M IHM 130x140mm
Chopper 400 MBL400E33D M IHM 130x140mm
800 MBL800E33D   M IHM 190x140mm
800 MBL800E33E M IHM 190x140mm
1000 MBL1000E33E2-B M IHM 190x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1500 MBN1500FH45F-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1000 MBN1000FH45F-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1000 MBN1000FH45F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800 MBN800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
800 MBN800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
600 MBN600E45A M IHM 130x140mm
900 MBN900D45A M IHM 190x140mm
1500 MBN1500FH45F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 600   MDM600E45A M IHM 130x140mm
800 MDM800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
400 MDM400H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MDM1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MDM1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800   MDM800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 200 MBM200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary 
pojedynczy IGBT 500 MBN500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
750 MBN750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 500 MDM500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
750 MDM750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
250 MDM250H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary 
6in1 IGBT 600 MBB600TV6A Bezpośrednie chłodzenie cieczą M 163×98.5mm
800 MBB800TV7A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98.5mm
400 MBB400TX12A Bezpośrednie chłodzenie cieczą U 163×98.5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa VCES (V) Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1
półmostek IGBT 3300 450 MBM450FS33F LV Obudowa standardowa W
1700 1200 MBM1200GS17G2 Copper Sintering LV Package (Standard isolation) W
1700 1200 MBM1000FS17G LV Obudowa standardowa W

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa VCES (V) Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1
pojedynczy SiC 3300 1200 MBN1200F33F-C SiC Hybrid W
1800 MBN1800F33F-C SiC Hybrid W

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Zapytaj o ofertę

Kondensatory DUCATI Energia

Rafał Piętka 24 marca 2021

Produkcja kondensatorów, znajdujących zastosowanie w takich aplikacjach jak trakcja, magazynowanie energii, filtrowanie, kompensacja mocy biernej, spawalnictwo,  to jedna z głównych obszarów działalności firmy DUCATI Energia. Nowoczesne…

Bezpieczniki szybkie do ochrony komponentów półprzewodnikowych

Rafał Piętka 15 stycznia 2020

Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate

Radosław Sobieski 07 stycznia 2020

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…