Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi
Automotive
HVDC
Grzejnictwo indukcyjne
Pojazdy terenowe
Odnawialne źródła energii
Trakcja
Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi
Automotive
HVDC
Grzejnictwo indukcyjne
Pojazdy terenowe
Odnawialne źródła energii
Trakcja
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| 6in1 IGBT | 600 | MBB600TV6A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | M | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| 6in1 IGBT | 800 | MBB800TV7A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| 6in1 IGBT | 400 | MBB400TX12A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98,5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| pojedynczy IGBT | 1600 | MBN1600E17F | M | IHM 130x140mm | |
| 3600 | MBN3600E17F | M | IHM 190x140mm | ||
| półmostek diodowy | 900 | MDM900E17D | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MDM1200E17D | M | IHM 130x140mm | ||
| półmostek IGBT | 1200 | MBM1200GS17G2 | Spiekanie miedzi nHPD2 | U | nHPD2 140x100mm |
| 1200 | MBM1000FS17G | nHPD2 | M | Standard | |
| 1200 | MBM1200E17F | M | IHM 130x140mm | ||
| Chopper | 1200 | MBL1200E17F | M | IHM 130x140mm | |
| 1600 | MBL1600E17F | M | IHM 190x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| pojedynczy IGBT | 1200 | MBN1200E25C | M | IHM 190x140mm | |
| półmostek IGBT | 400 | MBM400E25E | M | IHM 130x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| pojedynczy IGBT | 1800 | MBN1800F33F | M | IHM 190x140mm | |
| 100 | MBN1000E33E2 | M | IHM 130x140mm | ||
| 800 | MBN800E33D-AX | Niskie straty odzyskiwania właściwości zaporowych dla aplikacji wysokich częstotliwości | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MBN1200H33D | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| 1500 | MBN1500E33E2 | M | Standard | ||
| 1500 | MBN1500E33E3 | M | IHM 190x140mm | ||
| 800 | MBN800E33D | M | IHM 130x140mm | ||
| 1200 | MBN1200E33D | M | IHM 190x140mm | ||
| 800 | MBN800E33E | M | IHM 130x140mm | ||
| 1200 | MBN1200E33E | M | IHM 190x140mm | ||
| 1800 | MBN1800FH33F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | High Isolation | |
| 1200 | MBN1200F33F | M | IHM 130x140mm | ||
| pojedynczy SiC | 1200 | MBN1200F33F-C | M | IHM 130x140mm | |
| 1800 | MBN1800F33F-C | M | IHM 190x140mm | ||
| półmostek diodowy | 1200 | MDM1200FH33F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
| 800 | MDM800E33D | M | IHM 130x140mm | ||
| 1200 | MDM1200E33D | M | IHM 130x140mm | ||
| półmostek IGBT | 250 | MBM250H33E3 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
| 400 | MBM400E33D-MFR | Bardzo niskie straty łączeniowe dla aplikacji wysokich częstotliwości | M | IHM 130x140mm | |
| 450 | MBM450FS33F | nHPD2 | M | nHPD2 140x100mm | |
| 500 | MBM500E33E2-R | M | IHM 130x140mm | ||
| Chopper | 400 | MBL400E33D | M | IHM 130x140mm | |
| 800 | MBL800E33D | M | IHM 190x140mm | ||
| 800 | MBL800E33E | M | IHM 190x140mm | ||
| 1000 | MBL1000E33E2-B | M | IHM 190x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| pojedynczy IGBT | 1500 | MBN1500FH45F-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm |
| 1000 | MBN1000FH45F-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| 1000 | MBN1000FH45F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 800 | MBN800H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MBN1200H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| 800 | MBN800H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MBN1200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| 600 | MBN600E45A | M | IHM 130x140mm | ||
| 900 | MBN900D45A | M | IHM 190x140mm | ||
| 1500 | MBN1500FH45F | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| półmostek diodowy | 600 | MDM600E45A | M | IHM 130x140mm | |
| 800 | MDM800H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 400 | MDM400H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MDM1200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 1200 | MDM1200H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 800 | MDM800H45E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| półmostek IGBT | 200 | MBM200H45E2-H | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| pojedynczy IGBT | 500 | MBN500H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
| 750 | MBN750H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 190x140mm | |
| półmostek diodowy | 500 | MDM500H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm |
| 750 | MDM750H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | IHM 130x140mm | |
| 250 | MDM250H65E2 | Obudowa o wysokim napięciu izolacji | M | 73x140mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 | Wymiary |
| 6in1 IGBT | 600 | MBB600TV6A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | M | 163×98.5mm |
| 800 | MBB800TV7A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | W | 163×98.5mm | |
| 400 | MBB400TX12A | Bezpośrednie chłodzenie cieczą | U | 163×98.5mm |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | VCES (V) | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 |
| półmostek IGBT | 3300 | 450 | MBM450FS33F | LV Obudowa standardowa | M |
| 1700 | 1200 | MBM1200GS17G2 | Copper Sintering LV Package (Standard isolation) | W | |
| 1700 | 1200 | MBM1000FS17G | LV Obudowa standardowa | M |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
| Obudowa | VCES (V) | Prąd przewodzenia IC(A) | Typ | Cecha | Status*1 |
| pojedynczy SiC | 3300 | 1200 | MBN1200F33F-C | SiC Hybrid | M |
| 1800 | MBN1800F33F-C | SiC Hybrid | M |
*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji
Wzrost udziału energii elektrycznej generowanej w rozproszonych układach energetyki odnawialnej oraz ograniczenia możliwości przesyłowych systemu elektroenergetycznego doprowadziły do konieczności wprowadzenia nowych rozwiązań technicznych zapewniających ciągłą i…
Czytaj więcejModułowy magazyn energii stabilizuje sieć prądu stałego lub przemiennego w chwilach dynamicznych zmian obciążenia. Sprzęgnięty z odnawialnymi źródłami energii OZE (np. farmy fotowoltaiczne i wiatrowe) kompensuje…
Czytaj więcejZa pomocą wody również można dokonywać obróbki mechanicznej. Ta niezwykle precyzyjna metoda obróbki zyskuje coraz większą popularność w różnych sektorach przemysłu.
Czytaj więcejW świecie elektroniki układy DSP i FPGA odgrywają kluczowe role w przetwarzaniu sygnałów i realizacji złożonych funkcji. Czym jednak różnią się od siebie te dwa rodzaje…
Czytaj więcejBezpieczniki szybkie to niezwykle istotne elementy przeznaczone do zabezpieczenia różnych komponentów półprzewodnikowych. Ich zadaniem jest ochrona układów przed przepięciami i zwarciem, a tym samym zapewnienie bezpieczeństwa…
Czytaj więcej