Aplikacje modułów HV-IGBT Hitachi

Automotive

HVDC

Grzejnictwo indukcyjne

Pojazdy terenowe

Odnawialne źródła energii

Trakcja

650V (Szybkie, nisko stratne moduły IGBT o niskiej impedancji termicznej dzięki systemowi bezpośredniego chłodzenia cieczą, duża niezawodność i wytrzymałość)
Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 600 MBB600TV6A Bezpośrednie chłodzenie cieczą M 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 800 MBB800TV7A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
6in1 IGBT 400 MBB400TX12A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98,5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1600 MBN1600E17F M IHM 130x140mm
3600 MBN3600E17F M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 900 MDM900E17D M IHM 130x140mm
1200 MDM1200E17D M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 1200 MBM1200GS17G2 Spiekanie miedzi nHPD2 U nHPD2 140x100mm
1200 MBM1000FS17G nHPD2 M Standard
1200 MBM1200E17F M IHM 130x140mm
Chopper 1200 MBL1200E17F M IHM 130x140mm
1600 MBL1600E17F M IHM 190x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1200 MBN1200E25C M IHM 190x140mm
półmostek IGBT 400 MBM400E25E M IHM 130x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1800 MBN1800F33F M IHM 190x140mm
100 MBN1000E33E2 M IHM 130x140mm
800 MBN800E33D-AX Niskie straty odzyskiwania właściwości zaporowych dla aplikacji wysokich częstotliwości M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H33D Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1500 MBN1500E33E2 M Standard
1500 MBN1500E33E3 M IHM 190x140mm
800 MBN800E33D M IHM 130x140mm
1200 MBN1200E33D M IHM 190x140mm
800 MBN800E33E M IHM 130x140mm
1200 MBN1200E33E M IHM 190x140mm
1800 MBN1800FH33F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M High Isolation
1200 MBN1200F33F M IHM 130x140mm
pojedynczy SiC 1200 MBN1200F33F-C M IHM 130x140mm
1800 MBN1800F33F-C M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 1200 MDM1200FH33F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800 MDM800E33D M IHM 130x140mm
1200 MDM1200E33D M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 250 MBM250H33E3 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm
400 MBM400E33D-MFR Bardzo niskie straty łączeniowe dla aplikacji wysokich częstotliwości M IHM 130x140mm
450 MBM450FS33F nHPD2 M nHPD2 140x100mm
500 MBM500E33E2-R M IHM 130x140mm
Chopper 400 MBL400E33D M IHM 130x140mm
800 MBL800E33D   M IHM 190x140mm
800 MBL800E33E M IHM 190x140mm
1000 MBL1000E33E2-B M IHM 190x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary
pojedynczy IGBT 1500 MBN1500FH45F-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1000 MBN1000FH45F-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
1000 MBN1000FH45F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800 MBN800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
800 MBN800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MBN1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
600 MBN600E45A M IHM 130x140mm
900 MBN900D45A M IHM 190x140mm
1500 MBN1500FH45F Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 600   MDM600E45A M IHM 130x140mm
800 MDM800H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
400 MDM400H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MDM1200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
1200 MDM1200H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
800   MDM800H45E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
półmostek IGBT 200 MBM200H45E2-H Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary 
pojedynczy IGBT 500 MBN500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
750 MBN750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 190x140mm
półmostek diodowy 500 MDM500H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
750 MDM750H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M IHM 130x140mm
250 MDM250H65E2 Obudowa o wysokim napięciu izolacji M 73x140mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1 Wymiary 
6in1 IGBT 600 MBB600TV6A Bezpośrednie chłodzenie cieczą M 163×98.5mm
800 MBB800TV7A Bezpośrednie chłodzenie cieczą W 163×98.5mm
400 MBB400TX12A Bezpośrednie chłodzenie cieczą U 163×98.5mm

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa VCES (V) Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1
półmostek IGBT 3300 450 MBM450FS33F LV Obudowa standardowa M
1700 1200 MBM1200GS17G2 Copper Sintering LV Package (Standard isolation) W
1700 1200 MBM1000FS17G LV Obudowa standardowa M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Obudowa VCES (V) Prąd przewodzenia IC(A) Typ Cecha Status*1
pojedynczy SiC 3300 1200 MBN1200F33F-C SiC Hybrid M
1800 MBN1800F33F-C SiC Hybrid M

*1 M: masowa produkcja, W: próbka robocza, D: wycofany z produkcji

Zapytaj o ofertę

Modułowy system przekształtnikowy z dedykowanym zasobnikiem bateryjnym

Radosław Sobieski 22 września 2021

Wzrost udziału energii elektrycznej generowanej w rozproszonych układach energetyki odnawialnej oraz ograniczenia możliwości przesyłowych systemu elektroenergetycznego doprowadziły do konieczności wprowadzenia nowych rozwiązań technicznych zapewniających ciągłą i…

ModMAG21 – modułowy magazyn energii

Radosław Sobieski 22 czerwca 2021

Modułowy magazyn energii stabilizuje sieć prądu stałego lub przemiennego w chwilach dynamicznych zmian obciążenia. Sprzęgnięty z odnawialnymi źródłami energii OZE (np. farmy fotowoltaiczne i wiatrowe) kompensuje…

Proton-Electrotex – jednoelementowe moduły diodowe i tyrystorowe serii B0.

Rafał Piętka 18 czerwca 2021

Proton-Electrotex – rosyjski lider w projektowaniu i produkcji półprzewodników mocy, w tym diod, tyrystorów i modułów IGBT, a także radiatorów, tłumików napięcia, rezystorów i aparatury pomiarowej,…