H.

Hitachi Power Semiconductor Device oferuje inteligentne urządzenia zasilające i przełączniki analogowe wysokiego napięcia integrujące urządzenia wyjściowe wysokiego napięcia i obwody sterujące w jednym układzie scalonym / pojedynczej obudowie z wykorzystaniem technologii izolacji dielektrycznej

Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Czujniki zewnętrzne Metoda sterowania Zabezpieczenia
źródła(A) wyjścia(A) OCP VCC
(*2) LVD (*3)
ECN30300S 250 Top arm 0.10 Bottom arm 0.20 Top arm 0.25 Bottom arm 0.20 SOP-28 Element Halla Szeroki zakres sterowania kątem
Seria z wejściem VSP

 

Seria 3- wejściowa i 6-wejściowa
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa CPDF(*2) EMF detection(*3) Zabezpieczenia Modulacja sygnału wejściowego
źródła(A) wyjścia(A) OCP VCC Top arm
(*4) LVD (*5) voltage
ECN33500FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x 3-input
ECN33550FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x v 3-input
ECN30551FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x 6-input

(*1):Napięcie przebicia

(*2):Zabiezpieczenie nadprądowe

(*3):Detekcja progowego napięcia VCC

(*4):Funkcja detekcji polaryzacji prądu

(*5):Funkcja detekcji wstecznej SEM

 

 

Seria z wejściem VSP
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Czujniki zewnętrzne Zabezpieczenia SF (*6)
źródła(A) wyjścia(A) OCP (*2) VCC LVD (*3) OTP (*4) MLP (*5)
ECN30110F/P 250 1.4 1.0 SOP-26

DIP-26

Hall IC or Hall element
ECN30210F/P 600 1.5 0.7 SOP-26

DIP-26

Hall IC or Hall element

 

Seria 3-wejściowa I 6-wejściowa
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Funkcja detekcji wstecznej SEM Zabezpieczenia Modulacja sygnału wyjściowego
źródła(A) wyjścia(A) OCP (*2) VCC LVD (*3) OTP (*4)
ECN33101SP/SPV/SPR 250 1.4 1.0 SP-23T x x 3-input
ECN33201SP/SPV/SPR 500 1.5 0.7 SP-23T x x 3-input
ECN33202SP/SPV/SPR 500 2.0 1.4 SP-23T x x 3-input
ECN30620F/P/PN 600 2.0 1.0 SOP-26

DIP-26

x 6-input
ECN30622F/P/PN 600 3.0 2.0 SOP-26

DIP-26

x 6-input

(*1) :Napięcie przebicia

(*2) :Zabiezpieczenie nadprądowe

(*3) :Detekcja progowego napięcia VCC

(*4) :Ochrona przed przegrzaniem

(*5) :Zabezpieczenie blokady silnika

(*6) :Funkcja trybu gotowości

8-kanałowe
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN3290TF 8 5.0 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 22 10MAX. Nie × TQFP48
ECN3292TF 8 5.0 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 10MAX. Nie × TQFP48
ECN3293TF 8 3.3 lub 5 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 20MAX. Tak ( obie strony) × TQFP48
ECN3294TF 8 3.3 lub 5 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 20MAX. Do wyboru przez użytkownika (jedna strona) × TQFP48

 

16-kanałowe
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału  (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN3296TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Nie TQFP48
ECN3297TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak ( obie strony) TQFP48
ECN3298TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak ( obie strony) TQFP48

 

16-kanałowe dla sterowników bez wysokiego napięcia zasilania
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN32910TF 16 3.3 or 5 N/a N/a 0 N/a 18 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Nie × TQFP48
ECN32911TF 16 3.3 or 5 N/a N/a 0 N/a 18 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak (obie strony) × TQFP48

(*1):Switch on resistance

(*2):Dioda przeciwprzepięciowa

Zapytaj o ofertę

ModMAG21 – modułowy magazyn energii

Radosław Sobieski 22 czerwca 2021

Modułowy magazyn energii stabilizuje sieć prądu stałego lub przemiennego w chwilach dynamicznych zmian obciążenia. Sprzęgnięty z odnawialnymi źródłami energii OZE (np. farmy fotowoltaiczne i wiatrowe) kompensuje…

Proton-Electrotex – jednoelementowe moduły diodowe i tyrystorowe serii B0.

Rafał Piętka 18 czerwca 2021

Proton-Electrotex – rosyjski lider w projektowaniu i produkcji półprzewodników mocy, w tym diod, tyrystorów i modułów IGBT, a także radiatorów, tłumików napięcia, rezystorów i aparatury pomiarowej,…

Nowe narzędzie symulacyjne od Hitachi!

Radosław Sobieski 01 czerwca 2021

Narzędzie symulacyjne umożliwia wyznaczanie strat mocy oraz temperatur złącza modułów półprzewodnikowych dla różnych topologii przekształtników. Więcej informacji w linku poniżej: https://pdd.hitachi.eu/simulations