H.

Hitachi Power Semiconductor Device oferuje inteligentne urządzenia zasilające i przełączniki analogowe wysokiego napięcia integrujące urządzenia wyjściowe wysokiego napięcia i obwody sterujące w jednym układzie scalonym / pojedynczej obudowie z wykorzystaniem technologii izolacji dielektrycznej

Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Czujniki zewnętrzne Metoda sterowania Zabezpieczenia
źródła(A) wyjścia(A) OCP VCC
(*2) LVD (*3)
ECN30300S 250 Top arm 0.10 Bottom arm 0.20 Top arm 0.25 Bottom arm 0.20 SOP-28 Element Halla Szeroki zakres sterowania kątem
Seria z wejściem VSP

 

Seria 3- wejściowa i 6-wejściowa
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa CPDF(*2) EMF detection(*3) Zabezpieczenia Modulacja sygnału wejściowego
źródła(A) wyjścia(A) OCP VCC Top arm
(*4) LVD (*5) voltage
ECN33500FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x 3-input
ECN33550FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x v 3-input
ECN30551FP 620 0.25 0.4 SOP-28 x 6-input

(*1):Napięcie przebicia

(*2):Zabiezpieczenie nadprądowe

(*3):Detekcja progowego napięcia VCC

(*4):Funkcja detekcji polaryzacji prądu

(*5):Funkcja detekcji wstecznej SEM

 

 

Seria z wejściem VSP
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Czujniki zewnętrzne Zabezpieczenia SF (*6)
źródła(A) wyjścia(A) OCP (*2) VCC LVD (*3) OTP (*4) MLP (*5)
ECN30110F/P 250 1.4 1.0 SOP-26

DIP-26

Hall IC or Hall element
ECN30210F/P 600 1.5 0.7 SOP-26

DIP-26

Hall IC or Hall element

 

Seria 3-wejściowa I 6-wejściowa
Typ BV (V) (*1) Prąd Obudowa Funkcja detekcji wstecznej SEM Zabezpieczenia Modulacja sygnału wyjściowego
źródła(A) wyjścia(A) OCP (*2) VCC LVD (*3) OTP (*4)
ECN33101SP/SPV/SPR 250 1.4 1.0 SP-23T x x 3-input
ECN33201SP/SPV/SPR 500 1.5 0.7 SP-23T x x 3-input
ECN33202SP/SPV/SPR 500 2.0 1.4 SP-23T x x 3-input
ECN30620F/P/PN 600 2.0 1.0 SOP-26

DIP-26

x 6-input
ECN30622F/P/PN 600 3.0 2.0 SOP-26

DIP-26

x 6-input

(*1) :Napięcie przebicia

(*2) :Zabiezpieczenie nadprądowe

(*3) :Detekcja progowego napięcia VCC

(*4) :Ochrona przed przegrzaniem

(*5) :Zabezpieczenie blokady silnika

(*6) :Funkcja trybu gotowości

8-kanałowe
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN3290TF 8 5.0 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 22 10MAX. Nie × TQFP48
ECN3292TF 8 5.0 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 10MAX. Nie × TQFP48
ECN3293TF 8 3.3 lub 5 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 20MAX. Tak ( obie strony) × TQFP48
ECN3294TF 8 3.3 lub 5 -160 to -40 40 to VNN+ 200 220 VNN+10 to VPP-10 19 20MAX. Do wyboru przez użytkownika (jedna strona) × TQFP48

 

16-kanałowe
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału  (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN3296TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Nie TQFP48
ECN3297TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak ( obie strony) TQFP48
ECN3298TF 16 3.3 or 5 -160 to 0 40 to VNN+ 200 220 VNN to VPP 19 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak ( obie strony) TQFP48

 

16-kanałowe dla sterowników bez wysokiego napięcia zasilania
Typ Ch Napięcie zasilania (V) VPP – VNN (V) Zakres napięcia sygnału (A) ON-R (*1) (Ω) Częstotliwość zegara (MHz) Rezystor odpowietrzający Dioda (*2) Obudowa
VDD VNN VPP
ECN32910TF 16 3.3 or 5 N/a N/a 0 N/a 18 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Nie × TQFP48
ECN32911TF 16 3.3 or 5 N/a N/a 0 N/a 18 20MAX. @VDD = 3.3V, 30MAX @ VDD = 5V Tak (obie strony) × TQFP48

(*1):Switch on resistance

(*2):Dioda przeciwprzepięciowa

Zapytaj o ofertę

Kondensatory DUCATI Energia

Rafał Piętka 24 marca 2021

Produkcja kondensatorów, znajdujących zastosowanie w takich aplikacjach jak trakcja, magazynowanie energii, filtrowanie, kompensacja mocy biernej, spawalnictwo,  to jedna z głównych obszarów działalności firmy DUCATI Energia. Nowoczesne…

Bezpieczniki szybkie do ochrony komponentów półprzewodnikowych

Rafał Piętka 15 stycznia 2020

Wraz z gwałtownym rozwojem energoelektroniki zapoczątkowanym w latach 50-tych ubiegłego wieku, nastąpił rozwój różnych odmian półprzewodnikowych przyrządów mocy. Elementy te (np. diody, tyrystory, tranzystory mocy) cechują…

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate

Radosław Sobieski 07 stycznia 2020

Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench Nowa struktura krzemowa tranzystorów nazwana Side Wall Gate charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez…